П тибындагы кремний ваферларда гетероункция күзәнәкләренең эффективлыгы 26,6% ка ирешелде.

Аморф / кристалл кремний (a-Si: H / c-Si) интерфейсында барлыкка килгән гетерожункция уникаль электрон үзлекләргә ия, кремний гетерожункциясе (SHJ) кояш күзәнәкләре өчен яраклы. Ультра-нечкә a-Si интеграциясе: H пассивация катламы 750 мВ зур ачык схема көчәнешенә (Voc) иреште. Моннан тыш, a-Si: H контакт катламы, n тибы яки p тибы белән капланган, катнаш фазага кристаллаша ала, паразитик үзләштерүне киметә һәм ташучы сайлап алу һәм җыю эффективлыгын арттыра.

LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. Сю Ссян, Ли Чжэнгу һәм башкалар P тибындагы кремний ваферларында 26,6% эффективлык SHJ кояш күзәнәгенә ирештеләр. Авторлар фосфор диффузиясен алдан эшкәртү стратегиясен кулландылар һәм нанокристалл кремнийны (nc-Si: H) ташучы-сайлап контактлар өчен кулландылар, P тибындагы SHJ кояш күзәнәгенең эффективлыгын 26,56% ка арттырдылар, шулай итеп P өчен яңа күрсәткеч билгеләделәр. - кремний кояш күзәнәкләре.

Авторлар җайланманың процесс үсеше һәм фотоволтаик эшне яхшырту турында җентекләп фикер алышалар. Ниһаять, P-SHJ кояш күзәнәк технологиясенең киләчәк үсеш юлын билгеләү өчен энергия югалту анализы үткәрелде.